DataSheetWiki.com 2N4360 دیتاشیت

Datasheet 2N4360 PDF ( Fiche technique )



2N4360 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
2 2N4360   P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS

<^£mi-Conauctoi t-Proaucts., Una. 20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 UlSA 2N4342 - 2N4343 - 2N4360 TELEPHONE: (973) 376-2922 (212) 227-6005 FAX: (973) 376'8960 P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS DIFUSSED SILICON PLAN.4R TRANSSITORS •
New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
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1 2N4360   LOW-FREQUENCY/LOW-NOISE JFET

2N4360 MAXIMUM RATINGS Rating Drain-Source Voltage Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage @Total Device Dissipation T^ = 25°C Derate above 25°C Storage Temperature Range Symbol vDs Vdg vgs Pd T stg Value 20 20 20 310 2.82 -55 to +125 Unit Vdc V
Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
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BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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