DataSheetWiki.com 2N5306 دیتاشیت

Datasheet 2N5306 PDF ( Fiche technique )



2N5306 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
4 2N5306   NPN Darlington Transistor

2N5306 Discrete POWER & Signal Technologies 2N5306 C BE TO-92 NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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3 2N5306   SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

ETC
ETC
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2 2N5306A   SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

ETC
ETC
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1 2N5306   NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824 Central TM Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824 www.centralsemi.com
Central Semiconductor
Central Semiconductor
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
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BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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