DataSheetWiki.com 2N5932 دیتاشیت

Datasheet 2N5932 PDF ( Fiche technique )



2N5932 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
2 2N5932   Bipolar NPN Device

2N5932 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 29.9 (1.177) 30.4 (1.1
Seme LAB
Seme LAB
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1 2N5932   Silicon NPN Power Transistors

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors isc Product Specification 2N5932 DESCRIPTION ·DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A APPLICATIONS ·Designed for general p
Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
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BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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