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2PG009 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | 2PG009 | Silicon N-Channel Enhancement IGBT This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IGBT
2PG009
Silicon N-channel enhancement IGBT
For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features
Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) < 2.5 | Panasonic |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
2PG009 | Silicon N-Channel Enhancement IGBT |
Panasonic |
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2PG001 | N-channel enhancement mode IGBT |
Panasonic |
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2PG002 | N-Channel Enhancement Mode IGBT |
Panasonic |
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2PG006 | Silicon N-channel enhancement IGBT |
Panasonic |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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