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Datasheet 2SB1016A PDF ( Fiche technique )



2SB1016A Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
1 2SB1016A   Silicon PNP Epitaxial Type Transistor

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SB1016A Power Amplifier Applications 2SB1016A Unit: mm • High breakdown voltage: VCEO = −100 V • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −2.0 V (max) • Complementary to 2SD1407A
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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Numéro de référence fiche technique Fabricant PDF
2SB1016 SILICON POWER TRANSISTOR
SavantIC
SavantIC
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2SB1016 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)
Wing Shing Computer Components
Wing Shing Computer Components
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2SB1016A Silicon PNP Epitaxial Type Transistor
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
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BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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