Datasheet 2SC2510A Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	2SC2510A	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2510A TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2510A 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (28V SUPPLY VOLTAGE USE) Unit in mm z z z z z Specified 28V, 28MHz Characteristics Output Power Power Gain Collector Efficiency : Po = 150WPEP (Min.) : Gp = 12	Toshiba Semiconductor

2SC25 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2SC2558	HG RF POWER TRANSISTOR HG Semiconductors HG RF POWER TRANSISTOR 2SC2558 ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change www.HGSemi.com Sep. 1998 HG Semiconductors 2SC2558HG RF POWER TRANSISTOR ROHS Compliance,Silicon NPN	HGSemi
2SC2565	Silicon NPN Epitaxial Type	Toshiba
2SC2509	Silicon NPN Epitaxial Planar Type w w w .D at e h aS U 4 et m o .c w w w .D at e h aS U 4 et m o .c	Toshiba

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nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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