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Datasheet 2SC3133 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 2 | 2SC3133 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
 Mitsubishi Electric Semiconductor |
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| 1 | 2SC3133 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 2SC3133
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER) DESCRIPTION:
The ASI 2SC3133 is Designed for RF Power amplifiers in HF band mobile radio Applications.
MAXIMUM RATINGS
IC VCE VCB PDISS TSTG θJC 6.0 A 25 V 60 V 20 W @ TC = 25 °C -65 °C to +150 °C 6.25 °C/W
1 = B |
 ASI |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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