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2SC4959-T1 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | 2SC4959-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC4959
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
FEATURES
• • •
Low Noise, High Gain Low Voltage Operation Low Feedback Capacitance Cre = 0.4 pF TYP.
PACKAGE DIMENSI | NEC |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
2SC4959-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
NEC |
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2SC4959-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
NEC |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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