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Datasheet 2SC5408 PDF ( Fiche technique )



2SC5408 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
2 2SC5408   NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

PRELIMINARY DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5408 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2
NEC
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1 2SC5408-T1   NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

PRELIMINARY DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5408 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2
NEC
NEC
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
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BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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