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Datasheet 2SC5765 PDF ( Fiche technique )



2SC5765 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
2 2SC5765   NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5765 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER AMPLIFIER STROBO FLASH „ DESCRIPTION medium power amplifier applications strobo flash applications „ FEATURES * Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.27 V (max.
Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
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1 2SC5765   MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STOROBO FLASH APPLICATIONS

2SC5765 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5765 MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STOROBO FLASH APPLICATIONS Unit: mm · Low Saturation Voltage: VCE (sat) (1) = 0.27 V (max.) (IC = 3 A/IB = 60 mA) Maximum Ratings (Ta = 25°
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
PDF
BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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