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Datasheet B1016A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | B1016A | PNP Transistor - 2SB1016A TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SB1016A
Power Amplifier Applications
2SB1016A
Unit: mm
• High breakdown voltage: VCEO = −100 V • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −2.0 V (max) • Complementary to 2SD1407A
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Character |
Toshiba |
B10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
B101AW06-V1 | LCD Module |
AUO |
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B1015 | PNP Transistor - 2SB1015 |
Toshiba Semiconductor |
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B101AW03-V0 | TFT LCD Module |
AUO |
Esta página es del resultado de búsqueda del B1016A. Si pulsa el resultado de búsqueda de B1016A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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