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CEA6861 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | CEA6861 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEA6861
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
-60V, -2.4A, RDS(ON) = 135mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 180mΩ @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT- | CET |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
CEA6861 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
CET |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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