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Datasheet CEB16N10 PDF ( Fiche technique )



CEB16N10 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
2 CEB16N10L   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP16N10L/CEB16N10L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 100V, 15.2A, RDS(ON) = 115mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current hand
CET
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1 CEB16N10   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP16N10/CEB16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 15.2A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired
CET
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
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BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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