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Datasheet DE275-102N06A Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | DE275-102N06A | RF Power MOSFET DE275-102N06A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PDC PDHS PDAMB RthJC RthJHS Symbol Test Conditions
Tc = 25°C Derate 2.0W/°C above 25°C Tc = 25°C
VDSS ID |
 IXYS Corporation |
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DE275-102N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| DE275-102N06A | RF Power MOSFET |
IXYS Corporation |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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