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EM567168 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | EM567168 | 2M x 16 Pseudo SRAM EtronTech
Features
• Organized as 2M words by 16 bits • Fast Cycle Time : 55ns, 70ns • Standby Current : 100uA • Deep power-down Current : 10uA (Memory cell data invalid) • Byte data control: LB# (DQ0 - 7), UB# (DQ8 - 15) • Compatible wit | Etron Technology |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
EM567169BC | 2M x 16 Pseudo SRAM |
Etron Technology |
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EM567168 | 2M x 16 Pseudo SRAM |
Etron Technology |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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