|
|
Datasheet F0118G Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950 |  OSRAM | diode |
F01 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | F01-BJPT4-41BS00 | Connector Superbat connector | | |
| 2 | F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950 OSRAM diode | | |
| 3 | F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wir OSRAM diode | |
| Esta página es del resultado de búsqueda del F0118G. Si pulsa el resultado de búsqueda de F0118G se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |