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G7PH42U-EP Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | G7PH42U-EP | IRG7PH42U-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
• Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100% of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient | International Rectifier |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
G7PH42U-EP | IRG7PH42U-EP |
International Rectifier |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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