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GE4953 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | GE4953 | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GEMOS
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
GE4953
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
DESCRIPTION
The GE4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has been optimized for power management applications requiring | GEMOS |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
GE4953 | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
GEMOS |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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