|
|
H5551 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | H5551 | NPN SILICON TRANSISTOR N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H5551
¨€
AMPLIFIER TRANSISTOR
Collector-Emitter Voltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW
¨€
T stg ¡ ª Tj¡ª
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨
Sto | SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
H5551 | NPN SILICON TRANSISTOR |
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
|
B8524 | SAW Components |
TDK |
|
BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Link | English |