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Datasheet IXBP5N160G Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXBP5N160G | High Voltage BIMOSFET High Voltage BIMOSFETTM
Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBP 5N160 G IXBH 5N160 G
IC25 = 5.7 A VCES = 1600 V VCE(sat) = 4.9 V tf = 70 ns
Preliminary data sheet
C TO-220 AB (IXBP)
G
C E
C (TAB)
G
TO-247 AD (IXBH)
E G C C (TAB) E
A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode
IGBT Symbol VCES VGE |
IXYS |
IXBP5N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXBP5N160G | High Voltage BIMOSFET |
IXYS |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXBP5N160G. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXBP5N160G se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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