DataSheetWiki.com IXBT10N170 دیتاشیت

Datasheet IXBT10N170 PDF ( Fiche technique )



IXBT10N170 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
1 IXBT10N170   High Voltage/ High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor TM IXBH 10N170 IXBT 10N170 VCES = 1700 V IC25 = 20 A VCE(sat) = 3.8 V Preliminary Data Sheet Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM T
IXYS Corporation
IXYS Corporation
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Numéro de référence fiche technique Fabricant PDF
IXBT10N170 High Voltage/ High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXYS Corporation
IXYS Corporation
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
PDF
BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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