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Datasheet JDV2S10S PDF ( Fiche technique )



JDV2S10S Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
1 JDV2S10S   TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S10S TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S10S VCO for UHF Band Radio • • • High Capacitance Ratio : C0.5V/C2.5V = 2.5 (typ.) Low Series Resistance : rs = 0.35 Ω (typ.) This device is suitable for use in a
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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Numéro de référence fiche technique Fabricant PDF
JDV2S10T VCO for UHF Band Radio
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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JDV2S10S TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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JDV2S10FS Silicon Epitaxial Planar Type VCO
Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
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[1] 


Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
PDF
BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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