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Datasheet K2129 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K2129 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2129 Power F-MOS FETs
2SK2129
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 20mJ q VGSS = ±30V guaranteed q High-speed switching: tf = 50ns q No secondary breakdown
unit: mm
4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2
s Applications
4.1±0.2 8.0±0.2 Solder Dip
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ETC |
K2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K2996 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2996 |
Toshiba Semiconductor |
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K2611 | 9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611 |
Toshiba Semiconductor |
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K2545 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2545 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K2129. Si pulsa el resultado de búsqueda de K2129 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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