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Datasheet K30A06J3A Equivalent ( PDF )

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1 K30A06J3A   TK30A06J3A

TK30A06J3A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅢ) TK30A06J3A Switching Regulator Applications Unit: mm z Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) z High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) z Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (V
 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor		 datasheet K30A06J3A pdf

K30A06 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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K30A06J3A

TK30A06J3A

TK30A06J3A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅢ) TK30A06J3A Switching Regulator Applications Unit: mm z Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) z High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) z Low leakage current: ID
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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