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Datasheet K9F1G08X0M Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K9F1G08X0M | FLASH MEMORY
K9F1G08Q0M K9F1G16Q0M K9F1G08D0M K9F1G16D0M K9F1G08U0M K9F1G16U0M
FLASH MEMORY
Document Title
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
Revision History
Revision No
0.0 0.1
History
1. Initial issue 1. Iol(R/B) of 1.8V is changed. - min. value : 7mA --> 3mA - Typ. value : |
Samsung semiconductor |
K9F1G08 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K9F1G08U0E | 1Gb E-die NAND Flash |
Samsung semiconductor |
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K9F1G08U0D | 1Gb NAND Flash |
Samsung |
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K9F1G08U0C | FLASH MEMORY |
Samsung |
Esta página es del resultado de búsqueda del K9F1G08X0M. Si pulsa el resultado de búsqueda de K9F1G08X0M se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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