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MG150Q2YS65H Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | MG150Q2YS65H | High Power & High Speed Switching Applications MG150Q2YS65H
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG150Q2YS65H
High Power & High Speed Switching Applications
Unit: mm
· High input impedance · Enhancement-mode · The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
www.datasheetwiki.com | Toshiba Semiconductor |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
MG150Q2YS65H | High Power & High Speed Switching Applications |
Toshiba Semiconductor |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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