DataSheetWiki.com NE3510M04 دیتاشیت

Datasheet NE3510M04 PDF ( Fiche technique )



NE3510M04 Fiches techniques

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
1 NE3510M04   HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR NE3510M04 L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Low noise figure and high associated gain NF = 0.45 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ f = 4 GHz, VDS = 2 V, ID = 15 mA NF = 0.35 dB
CEL
CEL
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Numéro de référence fiche technique Fabricant PDF
NE3510M04 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
CEL
CEL
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Fiche de données de référence

Numéro de référence Description détaillée Fabricant PDF
ASJD1200R085

Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET

Micross
Micross
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B8524

SAW Components

TDK
TDK
PDF
BA6343

Stepping motor driver

ROHM
ROHM
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