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Datasheet PF01411B Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | PF01411B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone PF01411B
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
ADE-208-434B (Z) 3rd Edition Nov. 1997 Application
• For E-GSM class4 880 to 915 MHz • For 3.5 V nominal battery use
Features
• • • • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Lead less thin & Small package : 2 mm Max, 0.2cc |
Hitachi Semiconductor |
PF014 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
PF01411B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
Hitachi Semiconductor |
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PF01411A | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
Hitachi Semiconductor |
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PF01412A | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
Hitachi Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del PF01411B. Si pulsa el resultado de búsqueda de PF01411B se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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