|
|
PYA28C16B Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | PYA28C16B | EEPROM FEATURES
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Single 5V±10% Power Supply
Byte Write Cycle Time - 10 ms Maximum
Low Power CMOS: - 60 mA Active Current - 150 µA Standby Current
Fast Write Cycle Time - DATA Polling CMOS & TTL Compatib | PYRAMID |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
PYA28C16 | EEPROM |
PYRAMID |
|
PYA28C16B | EEPROM |
PYRAMID |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
|
B8524 | SAW Components |
TDK |
|
BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Link | English |