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Datasheet RJL6014DPP Equivalent ( PDF )

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1 RJL6014DPP   Silicon N Channel MOS FET

Preliminary Datasheet RJL6014DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features  Built-in fast recovery diode trr = 180 ns typ. (at IF = 15 A, VGS = 0, diF/dt = 100 A/s, Ta = 25 C)  Low on-resistance RDS(on) = 0.52  typ. (at ID = 7.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Lo
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Renesas Technology		 datasheet RJL6014DPP pdf

RJL6014 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
RJL6014DPP

Silicon N Channel MOS FET

Preliminary Datasheet RJL6014DPP Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features  Built-in fast recovery diode trr = 180 ns typ. (at IF = 15 A, VGS = 0, diF/dt = 100 A/s, Ta = 25 C)  Low on-resistance RDS(on) = 0.52  typ. (at ID = 7.5 A, VGS = 10 V,
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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