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RJP60F4DPM Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | RJP60F4DPM | N-Channel IGBT Preliminary Datasheet
RJP60F4DPM
600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching
Features
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) Trench gate and thin wafer technology High s | Renesas |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
RJP60F4DPM | N-Channel IGBT |
Renesas |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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