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RJP63K2DPK-M0 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | RJP63K2DPK-M0 | N-Channel IGBT Preliminary Datasheet
RJP63K2DPK-M0
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
Features
Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switchi | Renesas |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
RJP63K2DPK-M0 | N-Channel IGBT |
Renesas |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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