Datasheet RQ3E070BN Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQ3E070BN	Nch 30V 7A Middle Power MOSFET RQ3E070BN 　　Nch 30V 7A Middle Power MOSFET l Outline 　　 HSMT8 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 27mΩ ±7A 2W 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSM	ROHM Semiconductor

RQ3E07 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQ3E070BN	Nch 30V 7A Middle Power MOSFET RQ3E070BN 　　Nch 30V 7A Middle Power MOSFET l Outline 　　 HSMT8 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 27mΩ ±7A 2W 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) Hig	ROHM Semiconductor
RQ3E075AT	Power MOSFET ( Transistor ) RQ3E075AT 　　Pch -30V -18A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -30V 23mΩ ±18.0A 15W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lOutline HSMT8 　　　　　　　 lInne	ROHM Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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