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Datasheet RQ3E080GN Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | RQ3E080GN | N-ch 30V 8A Power MOSFET RQ3E080GN
Nch 30V 8A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on) at 10V (Max.) RDS(on) at 4.5V (Max.)
ID PD
30V 16.7mW 22.8mW
8A 2.0W
lFeatures 1) Low on - resistance.
2) High Power Package (HSMT8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
4) Halogen Free
5) 100% Rg and UIS Tested
lOutline
HSMT8
l |
ROHM Semiconductor |
RQ3E08 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
RQ3E080BN | N-ch 30V 8A Middle Power MOSFET |
ROHM Semiconductor |
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RQ3E080GN | N-ch 30V 8A Power MOSFET |
ROHM Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del RQ3E080GN. Si pulsa el resultado de búsqueda de RQ3E080GN se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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