Datasheet SP8J5FRA Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	SP8J5FRA	4V Drive Pch+Pch MOS FET Transistors 4V Drive Pch+Pch MOS FET SP8J5 FRA SP8JS5PF8RJA5 AEC-Q101 Qualified zStructure Silicon P-channel MOS FET zFeatures 1) Low On-resistance. (25m: at 4.5V) 2) High Power Package. (PD=2.0W) 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (4V) zApplications Power switching, DC-DC converter z	ROHM Semiconductor

SP8J5 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SP8J5	4V Drive Pch+Pch MOS FET Transistors 4V Drive Pch+Pch MOS FET SP8J5 SP8J5 zStructure Silicon P-channel MOS FET zFeatures 1) Low On-resistance. (25mΩ at 4.5V) 2) High Power Package. (PD=2.0W) 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (4V) zApplications Power switching, DC-DC converter zExternal	ROHM Semiconductor
SP8J5FRA	4V Drive Pch+Pch MOS FET Transistors 4V Drive Pch+Pch MOS FET SP8J5 FRA SP8JS5PF8RJA5 AEC-Q101 Qualified zStructure Silicon P-channel MOS FET zFeatures 1) Low On-resistance. (25m: at 4.5V) 2) High Power Package. (PD=2.0W) 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (4V) zApplications Power switching	ROHM Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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