Datasheet SUB85N10-10 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	SUB85N10-10	N-Channel MOSFET SUP85N10-10, SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 100 0.0105 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB ID (A) 85a FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive	Vishay Siliconix

SUB85N10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SUB85N10-10	N-Channel MOSFET SUP85N10-10, SUB85N10-10 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 100 0.0105 at VGS = 10 V 0.012 at VGS = 4.5 V TO-220AB ID (A) 85a FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Complian	Vishay Siliconix

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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