|
|
TK100E06N1 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | TK100E06N1 | MOSFETs TK100E06N1
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
TK100E06N1
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max | Toshiba Semiconductor |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
TK100E06N1 | MOSFETs |
Toshiba Semiconductor |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
|
B8524 | SAW Components |
TDK |
|
BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Link | English |