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V30100PW-M3 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | V30100PW-M3 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com
V30100PW-M3
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A
TMBS®
FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses � | Vishay |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
V30100PW-M3 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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