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VI20120C Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
2 | VI20120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier New Product
V20120C, VF20120C, VB20120C & VI20120C
Vishay General Semiconductor
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
TMBS ®
TO-220AB ITO-220AB
FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lo | Vishay |
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1 | VI20120C-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier V20120C-E3, VF20120C-E3, VB20120C-E3, VI20120C-E3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
TO-220AB
TMBS ®
ITO-220AB
V20120C
3 2 1
PIN 1
PIN 2
PI | Vishay |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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