|
|
VI20120SG Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | VI20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.DataSheet.co.kr
New Product
V20120SG, VF20120SG, VB20120SG & VI20120SG
Vishay General Semiconductor
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
TMBS ®
TO-220AB ITO-220AB
FEATURES • Trench MOS Schott | Vishay |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
VI20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
|
VI20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
|
VI20120S | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
|
B8524 | SAW Components |
TDK |
|
BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z |
www.DataSheetWiki.com | 2020 | Contactez-nous | Link | English |