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WFD4N60B Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | WFD4N60B | Power MOSFET ( Transistor ) WFD4N60B
Silicon N-Channel MOSFET
Features
■ 4A,600V.RDS(on)(Max 2.4Ω)@VGS=10V ■ Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) ■ Maximum Junction Temperatur | Winsemi |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
WFD4N60B | Power MOSFET ( Transistor ) |
Winsemi |
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WFD4N60 | Power MOSFET ( Transistor ) |
Winsemi |
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WFD4N60 | N-Channel MOSFET |
Wisdom technologies |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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