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WNM3019 Fiches techniques |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | ||
1 | WNM3019 | MOSFET ( Transistor ) WNM3019
Small Signal N-Channel, 30V, 0.2A, MOSFET
VDS (V) Typical Rds(on) (Ω) 1.2@ VGS=10V
30 1.4@ VGS=4.5V 1.9@ VGS=2.5V
ESD Rating: 2000V HBM
Descriptions
The WNM3019 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench techn | WillSEMI |
Numéro de référence | fiche technique | Fabricant | |
WNM3017 | MOSFET ( Transistor ) |
WillSEMI |
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WNM3019 | MOSFET ( Transistor ) |
WillSEMI |
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WNM3013 | N-Channel MOSFET |
Will Semiconductor |
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WNM3018 | MOSFET ( Transistor ) |
WillSEMI |
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WNM3011 | N-Channel MOSFET |
Will Semiconductor |
Numéro de référence | Description détaillée | Fabricant | |
ASJD1200R085 | Normally-ON Trench Silicon Carbide Power JFET |
Micross |
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B8524 | SAW Components |
TDK |
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BA6343 | Stepping motor driver |
ROHM |
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