|
|
Número de pieza | KDV251S | |
Descripción | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | |
Fabricantes | KEC | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de KDV251S (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
No Preview Available ! SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
VCO FOR C/P, CB PLL
FEATURES
Low Series Resistance : 0.6 (Max.)
High Capacitance Ratio : 1.7(Min.) 2.2(Max.)
KDV251M/S
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Voltage
Junction Temperature
VR
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
12
150
-55 150
UNIT
V
CLASSIFICATION OF CAPACITANCE RATIO GRADE
GRADE
CAPACITANCE RATIO (C1.6V/C5V)
NONE
1.70 2.20
A 1.70 1.82
B 1.80 1.92
C 1.90 2.020
D 2.00 2.12
E 2.10 2.20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Voltage
Reverse Current
Capacitance
Capacitance
Capacitance Ratio
VR
IR
C1.6V
C5V
C1.6V/C5V
Series Resistance
rS
TEST CONDITION
IR=10 A
VR=9V
VR=1.6V, f=1MHz
VR=5V, f=1MHz
VR=1V, f=50MHz
2002. 6. 25
Revision No : 4
MIN.
12
-
23
11
1.7
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
MAX.
-
200
38
19
2.2
0.6
UNIT
V
nA
pF
pF
1/2
1 page |
Páginas | Total 2 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet KDV251S.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
KDV251 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR CB/C/P PLL) | KEC(Korea Electronics) |
KDV251M | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR CB/C/P PLL) | KEC(Korea Electronics) |
KDV251M | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | KEC |
KDV251S | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | KEC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |